Sommario

Proprietà degli elettroni nelle bande energetiche di un semiconduttore

Velocità degli elettroni - massa efficace - elettroni e lacune - momento lineare e momento cristallino - bande di energia nello spazio k in tre dimensioni - confronto tra bande di energia di metalli semiconduttori e isolanti - gap diretto e indiretto - superfici a energia costante nei semiconduttori

Famiglie di semiconduttori 

semiconduttori binari - semiconduttori ternari e quaternari : le famiglie dellAs e dell'Sb - semiconduttori degeneri e non degeneri 

Proprietà di elettroni e lacune liberi all’equilibrio 

massa effettiva della densità degli stati in banda di conduzione e di valenza - calcolo della concentrazione di elettroni e lacune in banda di conduzione e valenza all'equilibrio termico - densità effettiva degli stati al minimo della banda di conduzione ed al massimo della banda di valenza

Semiconduttore intrinseco

concentrazione intrinseca dei portatori - posizione del livello di fermi nel gap del semiconduttore intrinseco all'equilibrio -  Andamento del gap con la temperatura - andamento della concentrazione intrinseca con la temperatura

Semiconduttore estrinseco

drogaggio n e p del semiconduttore - il modello idrogenoide per le impurezze superficiali - La condizione di neutralità del semiconduttore - concentrazione di portatori liberi in semiconduttore drogato nei regimi di congelamento, estrinseco ed intrinseco - posizione del livello di Fermi all'equilibrio nel gap del semiconduttore in funzione del drogaggio e della temperatura.